Оборудование RENA Technologies для химической обработки пластин

RENA Technologies — производитель оборудования химической обработки из Гютенбаха (Германия), основан в 1993 году: погружные, однопластинные и струйные станции, гальваника, сушилки, солнечные линии.

Погружные станции Convergence, Evolution и Revolution+

Станции для травления, очистки и снятия резиста в процессах FEOL и BEOL. Convergence — автомат для пластин 150, 200 и 300 мм, с носителями и без них. Evolution — линейный автомат для пластин 100–200 мм партиями по 25, 50 и 100 шт. Revolution+ — компактная станция с поворотным роботом.

Пластины до 300 мм
Партии по 25, 50 и 100 шт.
Поворотный робот Revolution+
Встроенная сушка Genesis

Однопластинные установки Inception, Vanguard и ACE

Inception — полуавтомат для перехода от НИОКР к пилотному выпуску: пластины до 200 мм, маски до 7 × 7 дюймов, 2–4 химические ванны, равномерность травления не хуже 1 %. Vanguard — автомат для пластин 300 мм с 4–8 камерами. ACE — установка жидкостного травления карбида кремния.

Пластины до 300 мм
Равномерность травления ≤ 1 %
От 4 до 8 камер Vanguard
Травление карбида кремния

Струйные установки SAT и SST, сушилки Genesis

Струйные установки SAT для кислот и SST для растворителей травят, очищают и снимают резист с пластин 50–200 мм, загрузка по 25 шт. В одной камере совмещается до пяти процессов, одна камера даёт 75–100 пластин в час. Сушилка Genesis Marangoni расходует менее 20 мл IPA за цикл.

Пластины 50–200 мм
До 5 процессов в камере
Одна камера: 75–100 пл./ч
Сушка: IPA < 20 мл за цикл

Гальванические установки EPM 2 и EPA

EPM 2 — ручная установка с фонтанной камерой для НИОКР и малых серий, пластины 2–8 дюймов. EPA — автоматическая линия с подачей и вращением пластины в процессе. Осаждают Au, Ag, Cu, Sn, Ni и сплав SnAg, краевая зона не более 3 мм; применение — столбиковые выводы и TSV.

Пластины 2–8 дюймов
Краевая зона ≤ 3 мм
Фонтанная камера EPM 2
Металлы: Au, Cu, Ni, SnAg

Станции обработки исходных пластин LWC, PPC и FC

Автоматические станции травления и очистки неструктурированных пластин 200 и 300 мм: после притирки, после ХМП, перед эпитаксией и на финишной очистке. Материалы — монокремний, германий, GaAs и GaN. Система финишной очистки FC совмещает отмывку частиц и металлов с сушкой Marangoni.

Пластины 200 и 300 мм
Очистка после ХМП
Сушка Marangoni в линии
Регенерация пластин

Групповые установки BatchTex N и BatchEtch N

BatchTex N удаляет нарушенный слой и выполняет щелочное текстурирование монокремния, BatchEtch N — щелочное или кислотное травление и снятие бор-эмиттера. Производительность до 15 000 пластин в час, исполнения N600, N400 и N50 по числу пластин в ванне, тонкие пластины от 100 мкм.

До 15 000 пластин в час
Ванна до 600 пластин
Пластины от 100 мкм
Интерфейс MES SECS/GEM

Конвейерные установки InEtchSide 4+ и InOxSide 3

InEtchSide 4+ на платформе NIAK 4+ удаляет SiO2 и легированные стёкла PSG и BSG с одной стороны пластины на 12–14 дорожках, для элементов IBC и TOPCon. InOxSide 3 выполняет изоляцию края, полировку тыльной стороны и снятие стекла на 5–6 дорожках, до 6000 пластин в час.

От 12 до 14 дорожек
До 6000 пластин в час
Тыльное травление 1–5 мкм
Форматы пластин M0–M12

Отмывка пластин BatchFinalClean и присадка monoTEX

BatchDeGlue снимает клей и предварительно очищает бруски после резки, BatchFinalClean выполняет финишную очистку пластин до формата G13 перед текстурированием, с ультразвуковой отмывкой. Присадка monoTEX для щелочного текстурирования без IPA даёт пирамиды 2–5 мкм.

Пластины до формата G13
Пирамиды 2–5 мкм
Текстурирование без IPA
Отражение менее 12,5 %

Подбор станций RENA по процессу и размеру пластины

Станцию выбирают по процессу, материалу и размеру пластины.

Для групповой обработки пластин 150, 200 и 300 мм служат погружные станции Convergence, Evolution и Revolution+, для критичного травления и перехода от НИОКР к пилотному выпуску — однопластинная Inception (до 200 мм), для пластин 300 мм — Vanguard, для травления карбида кремния — ACE.

Для струйной обработки кислотами и растворителями — SAT и SST, для сушки — COMPASS SRD, Genesis Marangoni и VaporDry (расход IPA на 85 % ниже, чем у сушилок с кипящим IPA), для гальваники — EPM 2 и EPA. Станции работают с Si, SiC, GaN, GaAs и InP.

Солнечные линии и компания

Для солнечных элементов RENA выпускает групповые установки BatchTex N и BatchEtch N (до 15 000 пластин в час), конвейерные InEtchSide 4+ и InOxSide 3, отмывку пластин BatchDeGlue и BatchFinalClean и присадку monoTEX для текстурирования без IPA.

RENA Technologies GmbH основана в 1993 году, штаб-квартира в Гютенбахе (Шварцвальд, Германия), около 560 сотрудников; кроме полупроводников и солнечной энергетики, компания делает оборудование для стекла и медицинских изделий.

RENA Technologies и названия моделей — товарные знаки их правообладателей. Они указаны только для обозначения оборудования, для которого мы подбираем запчасти. Компания SpareX не является официальным дилером, дистрибьютором или представителем RENA Technologies и не связана с правообладателем. Происхождение, документы и гарантия указываются по каждой позиции в коммерческом предложении.