芝浦机电 Shibaura Mechatronics 晶圆清洗设备、蚀刻机与先进封装键合机
芝浦机电（Shibaura Mechatronics Corporation）SC300-CC 系列后 CMP 晶圆清洗机、SC300-HT 单片式高温磷酸刻蚀机、CDE 化学干法刻蚀系统及 TFC-6500 / TFC-6800 先进封装键合机。面向全球半导体制造企业提供设备选型与工厂铭牌参数咨询。
SC300-CC 系列单片式后 CMP 晶圆清洗设备
芝浦机电 SC300-CC 系列单片式清洗机具备处理 19 纳米以下微细颗粒的能力。湿法晶圆传输架构彻底杜绝异物交叉污染，优化腔体结构提升清洗效能。设备无缝对接化学机械抛光模组，大幅提升整线晶圆良率。
- 针对 300 mm 半导体晶圆研发的 SC300-CC 系列后 CMP 单片式清洗设备
- 高效清除化学机械抛光残留研磨液微粒与 19 nm 以下微细颗粒杂质
- 湿法晶圆传输闭环结构，有效避免传输过程中的二次表面尘埃附着
- 双面旋转清洗刷组件、耐腐蚀喷嘴阀门、晶圆机械手真空吸盘备件
SC300-FC 系列最终制程与道间单片清洗设备
芝浦机电 SC300-FC 系列单片清洗机专用于微细加工关键工序间与出厂最终清洗。系统实现晶圆正面、背面以及边缘倒角全方位高洁净度处理。优化的流体动力学喷淋技术有效保护微细图形结构不受损伤。
- 面向 300 mm 晶圆制造关键制程研发的 SC300-FC 系列最终清洗设备
- 晶圆正面超洁净度清洗、背面去污与晶圆边缘倒角全覆盖处理
- 流体动力学精准控流技术，有效防止微细图案倒塌并降低表面粗糙度
- 晶圆边缘光电传感器、耐腐蚀隔膜计量泵、PTFE 气动阀门管道组件
SC300-HT 系列单片式高温磷酸湿法刻蚀设备
芝浦机电 SC300-HT 系列高温磷酸刻蚀机专用于氮化硅薄膜高选择比剥离。设备在 160°C 以上温度下稳定运行，配备多分区晶圆临近加热器实现边缘与中心均匀刻蚀。创新的二合一架构将磷酸刻蚀与后续清洗整合于单台设备。
- 面向先进逻辑与存储芯片制程研发的 SC300-HT 高温磷酸刻蚀系统
- 160°C 以上高温磷酸环境中氮化硅膜层高选择比高精度刻蚀
- 分区控制晶圆临近加热技术，精准调控刻蚀轮廓并大幅降低底层损耗
- 高纯石英电加热元件、高温耐腐蚀热电偶传感器、全氟醚密封圈备件
CDE 系列无损伤化学干法刻蚀系统
芝浦机电 CDE 系列化学干法刻蚀机通过腔体外激发等离子体，利用中性自由基实现各向同性刻蚀。远离晶圆的远程等离子体源彻底消除离子轰击损伤。设备广泛应用于反应离子刻蚀后的损伤层剥离与深沟槽拐角微圆弧倒角工艺。
- 面向半导体前道硅片微细加工研发的 CDE 系列化学干法刻蚀设备
- 利用中性活性自由基团实现完全各向同性刻蚀与沟槽槽口圆角平滑处理
- 腔外微波等离子体发生技术，彻底杜绝带电粒子对硅晶格造成的辐射损伤
- 微波等离子体发生源、质量流量控制器 MFC、高真空插板隔离阀组件
TFC-6500 系列高精度多工序先进封装贴片键合机
芝浦机电 TFC-6500 多工序键合机专为先进半导体封装制造研发，满足 100 级洁净室环境标准。系统实现芯片向下贴片精度 ±1 μm、向上贴片精度 ±3 μm。支持热压键合工艺，广泛应用于 2.5D、3D、超高密度扇出型晶圆级封装与硅光子模块量产。
- 面向先进芯片集成封装制造研发的 TFC-6500 系列多工序键合机
- 支持 2.5D、3D、UHD FO-WLP 与硅光子器件的高密度倒装贴片工艺
- 贴片对准精度达 ±1 μm，干周期产率超 2100 UPH 并达到 100 级洁净度
- 精密热压粘合焊头、真空吸嘴夹具、封闭环闭环伺服微动对准滑台配件
TFC-6800 系列超高精度铜铜直接混合键合机
芝浦机电 TFC-6700 与 TFC-6800 混合键合机专用于无凸块铜铜直接扩散键合。系统满足 1 级洁净室标准，配备原创减震结构实现亚微米级对准。TFC-6800 采用双头高产出架构，为高带宽内存 HBM 与人工智能处理器异构集成提供量产保障。
- 专为铜铜直接无微凸块混合键合研发的 TFC-6700 与 TFC-6800 键合系统
- 用于高带宽内存与 GPU 处理器异构芯片堆叠超高密度互连
- 减震隔振机架设计，满足最高标准 1 级洁净度并实现亚微米级对位精度
- 双键合工作头模组、真空等离子表面活化单元、高刚性压电微调对准导轨
SC300-CC 系列单片式后 CMP 晶圆清洗机在 300 mm 产线的配置
芝浦机电 SC300-CC 系列单片式清洗机具备处理 19 纳米以下微细颗粒的能力。湿法晶圆传输架构彻底杜绝异物交叉污染，优化腔体结构提升清洗效能。设备无缝对接化学机械抛光模组，大幅提升整线晶圆良率。
设备支持与主流晶圆抛光机直接硬件联机，通过优化传输路径缩短生产周期，并利用双面旋转刷洗与兆声波清洗彻底清除研磨残留。
SC300-FC 系列单片清洗机在关键道间与最终出厂制程的应用
芝浦机电 SC300-FC 系列单片清洗机专用于微细加工关键工序间与出厂最终清洗。系统实现晶圆正面、背面以及边缘倒角全方位高洁净度处理。优化的流体动力学喷淋技术有效保护微细图形结构不受损伤。
通过双面晶圆刷洗技术与精准的药液喷淋控制，设备为后续高精细光刻与先进封装工艺提供表面平整且无颗粒杂质的理想衬底条件。
SC300-HT 单片式高温磷酸刻蚀机在氮化硅高选择比剥离中的选型
芝浦机电 SC300-HT 系列高温磷酸刻蚀机专用于氮化硅薄膜高选择比剥离。设备在 160°C 以上温度下稳定运行，配备多分区晶圆临近加热器实现边缘与中心均匀刻蚀。创新的二合一架构将磷酸刻蚀与后续清洗整合于单台设备。
系统通过闭环调控磷酸中的硅溶解浓度，稳定维持氮化硅对底层氧化硅的高选择比，并集成抗图案倒塌干燥技术以保障纳米级器件结构完整性。
CDE 系列化学干法刻蚀系统在无损伤表面平整与倒角工艺的应用
芝浦机电 CDE 系列化学干法刻蚀机通过腔体外激发等离子体，利用中性自由基实现各向同性刻蚀。远离晶圆的远程等离子体源彻底消除离子轰击损伤。设备广泛应用于反应离子刻蚀后的损伤层剥离与深沟槽拐角微圆弧倒角工艺。
远程微波发生器确保仅由高反应活性中性自由基参与刻蚀反应，彻底保护敏感栅极氧化层免受电学应力破坏，显著改善器件表面粗糙度。
TFC-6500 系列多工序键合机在 2.5D 与 3D 先进封装中的量产部署
芝浦机电 TFC-6500 多工序键合机专为先进半导体封装制造研发，满足 100 级洁净室环境标准。系统实现芯片向下贴片精度 ±1 μm、向上贴片精度 ±3 μm。支持热压键合工艺，广泛应用于 2.5D、3D、超高密度扇出型晶圆级封装与硅光子模块量产。
该平台支持多样化芯片尺寸与贴片工艺配置，具备超 2100 UPH 的高干周期生产能力，为人工智能计算芯片与高性能图形处理器提供封装量产支持。
TFC-6800 系列超高精度铜铜直接混合键合系统在 HBM 制造中的优势
芝浦机电 TFC-6700 与 TFC-6800 混合键合机专用于无凸块铜铜直接扩散键合。系统满足 1 级洁净室标准，配备原创减震结构实现亚微米级对准。TFC-6800 采用双头高产出架构，为高带宽内存 HBM 与人工智能处理器异构集成提供量产保障。
结合 HSM-1000 真空等离子活化与湿法清洗一体化前处理设备，形成无缝对接的完整工序单元，彻底解决超细微互连间距下的界面氧化与贴片良率难题。
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