TSD Semiconductor 半导体晶圆减薄抛光设备与备件

TSD 特思迪半导体超精密晶圆加工装备：适用于碳化硅与硅片的 TFG 全自动减薄机、IVG 双轴减薄机、CMP 抛光机及 TSC 晶圆刷洗机。

TSD TFG 系列全自动晶圆减薄机

TSD TFG-3250 全自动减薄机用于半导体硅片与碳化硅晶圆的高精度减薄作业。四工位回转工作台搭配高刚性磨削主轴，可实现亚微米级厚度总变差与优异表面粗糙度，全自动化干进干出设计保障了规模化半导体产线的高吞吐能力。

四工位旋转工作台设计实现多工序连续分步运转与高效晶圆定位
配置 7.5 kW 大功率空气静压磨削主轴以确保大载荷磨削刚性与转速稳定性
适配 OD303 mm 金刚石砂轮满足第三代半导体硬脆衬底材料快速材料去除
配备在线高精度测厚仪表与自适应闭环补偿系统以保障晶圆厚度均一性

TSD IVG 系列双轴半自动减薄机

TSD IVG-2035 与 IVG-3035 减薄机专为 2 至 12 英寸半导体衬底材料的粗磨与精磨而设计。双主轴排布配合多孔陶瓷真空吸盘台，可有效消除磨削加工应力，避免超薄晶圆发生翘曲破损，适用于化合物半导体研发与多品种小批量生产。

粗磨与精磨双主轴结构支持工步自动切换以显著缩短工艺循环准备时间
配置 6.0 kW 恒功率电主轴并配备高精度恒温循环水冷却系统确保无热漂移
广泛适配 2 至 12 英寸化合物半导体晶圆与多规格异形硬脆材料平整加工
采用 203 mm 规格金刚石砂轮以提供细腻稳定的表面加工质量与几何精度

TSD 系列化学机械抛光 CMP 设备

TSD TPC 系列与 TPP-1310 化学机械抛光系统专为碳化硅、硅片及大尺寸玻璃面板提供亚纳米级平坦化加工。多分区气膜加压载头配合光学终点检测模块，确保晶圆在薄膜沉积前具备优良的平整度与表面微观形貌特征。

多分区独立气压调节抛光载头实现晶圆表面径向加压压力的精细闭环调控
配置光学终点检测 EPD 模块以精准判定研磨去除厚度并防止图形结构过抛
高精度研磨液蠕动输送泵组保障化学抛光液流速与管路温度保持严格恒定
重载动平衡抛光研磨盘支持转速与摆动轨迹的数字化可编程精准调节控制

TSD TSG 系列封装基板减薄机

TSD TSG-200A 全自动减薄机用于半导体先进封装中的环氧塑封料 EMC 载板减薄加工。该机型采用金刚石缓进给磨削工艺，搭配双主轴与多分区真空吸附台，可消除封装基板边缘崩缺与分层隐患，保障芯片封装成品的机械稳定性。

专用金刚石缓进给磨削进给机构有效消除树脂封装材料加工中的内应力集中
搭载两组 5 kW 高精度磨削主轴分别承担粗磨去除与精磨镜面平整作业工步
工件加工尺寸覆盖 100x50 mm 至 300x100 mm 的广泛封装载板规格要求
工作台具备五组独立真空控制吸附分区确保超薄基板在高速磨削时不产生位移

TSD TSC 系列晶圆刷洗与清洗机

TSD TSC-100 与 TSC-300S 晶圆清洗机专用于抛光及化学机械抛光 CMP 后的晶圆表面净化。通过超纯水润湿、双面高分子 PVA 滚刷洗涤、兆声波高频喷淋以及高纯氮气高速离心甩干的组合工艺，彻底去除晶圆微观颗粒残留与微量杂质离子。

配备专用高洁净度聚乙烯醇 PVA 旋转滚刷对晶圆正反双面实施无损伤接触擦洗
集成兆声波高频振荡流体清洗喷淋模块可迅速剥离亚微米级研磨颗粒残留杂质
高纯洁净氮气保护环境下的高速旋转甩干机构可杜绝晶圆表面干燥水痕水印产生
耐腐蚀高分子工程塑料密封清洗腔室确保半导体洁净室生产环境免受交叉污染

TSD 高精度砂轮主轴与真空吸盘

TSD 磨削电主轴总成、多孔陶瓷真空吸盘台及精密直线导轨配件用于保障磨抛设备长期运转的几何精度。经过动平衡校准的砂轮驱动主轴具备低振动特性，配合微米级平整吸盘，可避免超薄晶圆在强力磨削工况下发生受力形变。

5.0 至 7.5 kW 动静压磨削主轴总成具备高同轴度与毫微米级回转精度指标
多孔陶瓷真空吸盘工作台表面平面度误差严格控制在 0.5 微米以内公差
专用法兰盘与快速锁紧卡盘支持 OD203 及 OD303 mm 规格金刚石砂轮快速装调
提供耐磨防尘伸缩波纹管护罩、氟橡胶耐腐蚀密封圈及高精预紧滑块导轨组件

TSD 特思迪半导体超精密晶圆磨削减薄技术

TSD 特思迪半导体研发的晶圆减薄磨削装备用于提升半导体集成电路衬底与功率芯片的几何精度。在对硅基材料、碳化硅及氮化镓等硬脆晶圆进行减薄加工时，严格控制厚度总变差与表面微观粗糙度至关重要。TSD 设备配置高刚性主轴单元与动静压轴承支承结构，有效消除了工具轴向窜动与径向跳动误差。高目数金刚石杯形砂轮结合恒温切削液循环喷淋，可实现均匀切削并避免产生深层微裂纹缺陷。

多阶段工艺节拍与在线闭环高精度测厚系统

TFG 系列全自动减薄机采用多工步连续加工程序，将整个减薄循环细分为粗磨去除、半精修整以及精磨光整阶段。机台集成的接触式电子测头与非接触光学测厚传感器可持续监测晶圆厚度变化。在加工尺寸逼近预设技术公差时，数控系统会自动降低主轴垂直进给速度并调控研磨负荷。过载保护算法能够在切削阻力异常时执行退刀等待，防止超薄晶圆由于局部应力集中而发生破片碎裂隐患。

第三代宽禁带半导体化学机械抛光 CMP 装备

TPC 系列与 TPP-1310 化学机械抛光系统专为碳化硅晶片、硅单晶及大尺寸玻璃面板提供镜面平坦化加工。该工艺依托化学抛光液的微观腐蚀反应与抛光垫机械微磨削的协同效应。多分区独立气囊式抛光载头支持对晶圆中心区域、中间过渡区及边缘外侧分别施加差异化研磨压力。内置的光学终点检测 EPD 模块能够精准捕获薄膜去除界限，彻底消除微观电路图形结构的过抛损伤风险。

先进电子封装基板环氧塑封料缓进给磨削工艺

TSD TSG 系列封装基板减薄机用于半导体先进封装中环氧塑封树脂材料的高精度表面磨平。专用缓进给磨削机构能够以大磨削深度与稳定低速进给完成余量去除，避免封装引线框架边缘崩缺与层间剥离。双主轴立式布局在同一回转工作台上同时集成粗精磨削工步。多分区真空吸盘台提供平稳装夹支撑以抑制超薄载板颤纹，大流量除尘过滤单元可快速抽吸树脂碎屑与研磨微粒。

化学机械抛光后晶圆双面刷洗与无痕干燥系统

TSC 系列晶圆清洗装置用于磨抛后半导体衬底的终道净化，去除残留微米级浆料颗粒与化学金属离子。系统采用超纯水润湿的高分子聚乙烯醇 PVA 旋转滚刷，对晶圆正反两面实施柔性物理擦洗且不损伤晶圆微观构型。高频兆声波喷淋管路产生微细气穴空化效应以剥离亚微米颗粒。洗净后的晶圆随后进入密封离心甩干单元，在高纯洁净氮气正压气幕保护下高速脱水并杜绝水痕生成。

机台预防性维护保养规范与核心备件管理服务

保持 TSD 半导体工艺机台长期高精度作业依赖于周期性预防维护规程。产线工程人员应定期检查砂轮驱动主轴回转跳动、多孔陶瓷真空吸盘台平整度、气动加压密封膜完整度以及研磨液蠕动泵计量精度。根据机台金属铭牌编号与产线加工工艺要求，可快速配套高品质替换配件。定期更换滤芯组件、PVA 清洁滚刷与导轨滑块，能够保障半导体无尘洁净室连续平稳运转。

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