Силовые полупроводниковые компоненты и модули MSEMITEK

Силовые полупроводники MSEMITEK: полевые транзисторы MOSFET, биполярные ключи IGBT, карбид-кремниевые приборы SiC. Инженерный подбор аналогов и расчет с НДС 22%.

Низковольтные полевые транзисторы MSEMITEK Trench MOSFET

Линейка низковольтных транзисторов MSEMITEK Trench MOSFET создана для импульсных преобразователей с высокими требованиями к энергоэффективности. За счет плотной канавочной структуры кристаллов снижено сопротивление открытого канала и минимизированы статические потери мощности.

Рабочее напряжение сток-исток от 20V до 100V для силовых цепей вторичного питания
Токовые нагрузки до 100A при непрерывном режиме работы в компактных корпусах SOP-8
Сверхнизкое типовое сопротивление открытого канала RDS(on) от единиц миллиом
Применение в синхронных выпрямителях, контроллерах моторов и платах защиты батарей

Экранированные транзисторы MSEMITEK SGT MOSFET

Транзисторы MSEMITEK по технологии экранированного затвора Shielded Gate Trench обеспечивают оптимальное соотношение добротности FOM. Глубокий экран емкости затвор-сток существенно ускоряет процессы коммутации и подавляет паразитные выбросы напряжения при переключении.

Диапазон напряжений BVDSS от 30V до 150V для высокочастотных DC-DC преобразователей
Номинальные токи до 220A при установке в силовые планарные корпуса PDFN5x6
Сниженная входная емкость затвора для упрощения схемотехники импульсных драйверов
Эффективная работа в серверах, телекоммуникационных блоках и зарядных станциях

Высоковольтные суперпереходные транзисторы MSEMITEK Super Junction

Высоковольтные полевые ключи MSEMITEK Super Junction MOSFET используют структуру чередующихся p-n столбов для выравнивания электрического поля. Технология позволяет снизить удельное сопротивление кристалла до десяти раз по сравнению с классическими планарными приборами.

Рабочие напряжения 600V, 650V, 700V, 800V и 950V для сетевых промышленных инверторов
Низкие динамические потери на переключение в схемах коррекции коэффициента мощности PFC
Повышенная стойкость к лавинному пробою при переходных процессах в питающей сети
Корпусное исполнение TO-220, TO-220F, TO-247 и TO-263 для поверхностного и сквозного монтажа

Планарные высоковольтные транзисторы MSEMITEK Planar MOSFET

Классические высоковольтные транзисторы MSEMITEK Planar MOSFET отличаются повышенной надежностью кристалла и стойкостью к импульсным перегрузкам. Приборы оптимальны для построения экономичных обратноходовых и полумостовых схем питания промышленной электроники.

Диапазон напряжений от 500V до 1200V для силовых блоков промышленной автоматики
Стабильные вольт-амперные характеристики в широком температурном диапазоне до 150°C
Высокая прочность подложки при жестких режимах коммутации индуктивной нагрузки
Надежное решение для вспомогательных импульсных источников питания станков с ЧПУ

Биполярные транзисторы и модули MSEMITEK Field-Stop IGBT

Силовые транзисторы MSEMITEK IGBT сочетают простоту управления напряжением на изолированном затворе с малым падением напряжения в открытом состоянии. Технология тонкой пластины с полевым стопором гарантирует плавное выключение без затяжного хвостового тока.

Классы рабочего напряжения 650V и 1200V с токовыми нагрузками одиночных ключей до 50A
Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce(sat) от 1.56V при номинальном токе
Встроенный быстродействующий антипараллельный диод с мягкой характеристикой восстановления
Назначение: частотные преобразователи, инверторная сварка, ИБП и сервоприводы

Карбид-кремниевые диоды Шоттки и транзисторы MSEMITEK SiC

Полупроводниковые приборы MSEMITEK на основе карбида кремния третьего поколения рассчитаны на экстремальные частоты коммутации и высокие температуры. Отсутствие заряда обратного восстановления диодов Шоттки радикально повышает КПД преобразователей энергии.

Диоды SiC Schottky на 650V и 1200V с током до 10A без заряда обратного восстановления
Транзисторы SiC MOSFET на 650V, 750V и 1200V со сверхнизким сопротивлением RDS(on)
Устойчивость к рабочим температурам кристалла до 175°C в силовых корпусах TO-247-4L
Целевое применение: солнечные инверторы, зарядная инфраструктура электромобилей, накопители

Развитие полупроводникового производства MSEMITEK и статус предприятия

Компания Shenzhen Msemitek Semiconductor Co., Ltd., основанная в 2014 году в городе Шэньчжэнь, специализируется на разработке, корпусировании и тестировании силовых полупроводниковых приборов.

Предприятие обладает статусом высокотехнологичной организации National High-Tech Enterprise и включено в национальный реестр специализированных предприятий Little Giant.

Производственный портфель охватывает кремниевые структуры и карбид-кремниевые кристаллы третьего поколения.

Наличие собственных исследовательских центров в Шэньчжэне, Шанхае и Сучжоу позволяет непрерывно совершенствовать нормы кристаллического производства, обеспечивая строгий контроль параметров динамического переключения и устойчивости к лавинным перегрузкам.

Низковольтные и экранированные полевые транзисторы Trench и SGT MOSFET

Для вторичных цепей питания, синхронного выпрямления и импульсных контроллеров двигателей MSEMITEK выпускает низковольтные транзисторы Trench MOSFET и экранированные компоненты SGT MOSFET.

В технологии экранированного затвора Shielded Gate Trench реализован дополнительный электрод, экранирующий паразитную емкость Миллера и снижающий заряд переключения затвора.

Это обеспечивает минимальные динамические потери на высоких частотах преобразования и стабильную коммутацию в импульсных DC-DC конвертерах.

Приборы выпускаются в корпусах SOP-8, PDFN3x3, PDFN5x6 и TO-252, выдерживая продолжительные токовые нагрузки до 220 ампер при предельно низких значениях сопротивления открытого канала для энергоемких узлов.

Высоковольтные суперпереходные ключи Super Junction и планарные MOSFET

В сегменте сетевых источников питания и корректоров коэффициента мощности ключевую роль играют суперпереходные транзисторы MSEMITEK Super Junction MOSFET с номинальными напряжениями от 600V до 950V.

Применение чередующихся p-n столбов создает равномерный градиент электрического поля, уменьшая сопротивление открытого канала в несколько раз.

Для вспомогательных импульсных источников и релейных схем промышленной автоматики предприятие изготавливает проверенные планарные транзисторы Planar MOSFET с максимальным напряжением до 1200V.

Они обладают высокой устойчивостью к броскам напряжения при размыкании индуктивных нагрузок и сохраняют стабильность в условиях повышенных температур.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором MSEMITEK Field-Stop IGBT

Для управления промышленными электроприводами, сервосистемами станков и установками инверторной сварки завод поставляет силовые транзисторы и модули IGBT на напряжение 650V и 1200V.

Использование тонких пластин и микроканавочной технологии с полевым стопором Field-Stop минимизирует время рассасывания неосновных носителей и надежно подавляет хвостовой ток при выключении.

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce(sat) от 1.56V предотвращает перегрев кристаллов при высоких рабочих токах нагрузки.

Встроенный антипараллельный диод с мягкой характеристикой восстановления исключает возникновение высокочастотных электромагнитных помех в силовых цепях инверторных мостов преобразователей.

Широкозонные карбид-кремниевые приборы SiC Schottky и SiC MOSFET

Третье поколение силовых приборов MSEMITEK включает диоды Шоттки и полевые транзисторы на базе карбида кремния SiC, ориентированные на фотоэлектрические инверторы, накопители энергии и зарядные станции.

Карбид кремния отличается широкой запрещенной зоной, повышенным критическим полем пробоя и высокой теплопроводностью полупроводниковой структуры.

Диоды SiC практически лишены заряда обратного восстановления, что исключает коммутационные всплески и снимает тепловую нагрузку с встречных транзисторных ключей.

Транзисторы SiC MOSFET выдерживают рабочие температуры кристалла до 175°C, сохраняя стабильные временные характеристики в высокочастотных резонансных топологиях оборудования.

Лабораторный комплекс MS OpenLab и стандарты надежности компонентов

Для подтверждения долговечности полупроводниковых компонентов компания сформировала испытательный центр MS OpenLab площадью свыше 1000 квадратных метров с инвестициями свыше 40 миллионов юаней.

В марте 2024 года лаборатория прошла аудит и получила официальную аккредитацию национального комитета CNAS на проведение испытаний.

Лаборатория объединяет четыре направления: параметрические измерения, стрессовые испытания надежности, анализ физических причин отказов и тестирование в составе готовых устройств.

Испытания проводятся по методикам JEDEC, IEC и стандарту AEC-Q101, гарантируя устойчивость полупроводников к термоциклированию и влажности в промышленной эксплуатации.

MSEMITEK и названия моделей — товарные знаки их правообладателей. Они указаны только для обозначения оборудования, для которого мы подбираем запчасти. Компания SpareX не является официальным дилером, дистрибьютором или представителем MSEMITEK и не связана с правообладателем. Происхождение, документы и гарантия указываются по каждой позиции в коммерческом предложении.