赛晶亚太半导体自研IGBT与SiC功率半导体

对接赛晶自研IGBT芯片与模块采购，广泛应用于电动汽车主驱、光伏逆变器、风电变流器及工业变频领域。

1200V i23系列IGBT芯片

第七代薄晶圆微沟槽场终止（Field Stop Trench）架构IGBT芯片，具备低饱和压降Vce(sat)与更优异的高温关断损耗表现。

工作电压1200V，单芯片额定电流75–200A
先进微沟槽超薄晶圆制造工艺
逆变系统综合功率损耗降低达15%

1700V高压IGBT芯片

面向风力发电大功率变流器和轨道交通牵引逆变器开发的高压IGBT芯片，具备极宽的反偏安全工作区（RBSOA）。

1700V耐压等级，完美匹配690V与1140V交直流系统
短路耐受时间tsc超过10微秒，运行可靠度高
正温度系数特性极大方便多芯片大电流并联使用

快恢复二极管FRD芯片

具备软恢复特性的Fast Recovery Diode续流二极管芯片，有效抑制反向恢复过程中的高频电磁干扰（EMI）与高频振荡。

匹配1200V和1700V系统耐压等级
极小的反向恢复电荷量Qrr与反向恢复电流峰值
优异的软度系数彻底避免关断电压过冲

碳化硅SiC MOSFET芯片

1200V先进碳化硅功率MOSFET晶圆芯片，面向下一代超高频高效逆变系统，大幅提升装置功率密度与整机运行效率。

极低的导通电阻Rds(on)与极小的导通损耗
结温最高支持175°C稳定持续运行
纳秒级高速开关能力，大幅降低开关能量损耗

ED系列工业与牵引功率模块

采用国际标准EconoDual 3封装形式的高可靠功率模块，配备实心紫铜散热底板及集成式NTC温度传感元件。

半桥（Half-Bridge）拓扑，连续电流最高达900A
机械外形与引脚定义完全兼容行业通用标准
内置NTC热敏电阻实时监控内部晶圆运行结温

EP系列紧凑型工业模块

紧凑型功率模块，采用行业通用的EasyPack与EconoPACK封装规范，广泛应用于光伏组串逆变器、伺服驱动器及UPS电源。

三相全桥拓扑或三电平NPC/ANPC低损耗拓扑架构
免焊接高可靠Press-Fit压接针脚电气连接
极佳的芯片至散热底座传热热阻指标

HEEV车规级主驱模块

具备直接水冷Pin-fin结构的汽车级功率模块，专为新能源纯电动与混合动力乘用车主驱逆变器研发设计。

整体成型紫铜针翅（Pin-fin）直接接触冷却液循环
全面通过严苛的汽车功率循环与热冲击测试（AQG 324）
工作电流最高支持950A，从容适配800V高压电驱平台

EVD与BEVD辅助驱动模块

面向新能源汽车辅驱系统开发的高集成度功率模块，服务于电动空调压缩机、车载水泵及车载高低压DC/DC电源。

集成电流采样电阻与过温过流敏感硬件保护回路
紧凑注塑环氧树脂模压气密封装，防潮抗震能力强
显著减小汽车车载电气控制单元的体积与系统重量

赛晶亚太半导体研发实力与产业化基地

赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（赛晶科技旗下半导体研发制造核心）专注于高端IGBT与碳化硅SiC功率器件的自主研发与封装产业化。公司汇聚欧洲与本土资深芯片设计团队，在浙江嘉善建有现代化洁净车间，配备全自动超声波粗铝/粗铜线键合机、无空洞真空回流焊接炉、精密激光划片机及自动化动静态测试系统。

研发制造流程严格执行全生命周期质量把控：涵盖晶圆级自动探针台电性能筛选、模块动静态参数全检、高温反偏（HTRB）老化试验及功率循环考核。产品全面符合工业级IEC 60747标准以及国际公认的严苛汽车级功率模块可靠性标准AQG 324。

第七代i23系列IGBT微沟槽芯片架构

i23系列IGBT芯片采用国际先进的第七代超薄晶圆微沟槽场终止（Field Stop Trench）工艺架构。通过精细减薄硅衬底厚度并结合背面低剂量离子注入形成高浓度缓冲层，精准平衡了导通损耗与关断损耗，使得标称电流下的饱和压降Vce(sat)低至1.5–1.65V。

高密度微沟槽栅极显著增强了导通状态下发射极附近的电子空穴等离子体注入，降低体电阻；而在关断瞬间快速抽取载流子，极大缩短拖尾电流持续时间，抑制高频脉宽调制（PWM）工作下的器件结温温升。

1700V高压工业芯片关键特性

在690V风电并网变流器、大功率集中式逆变器和电力机车牵引驱动中，功率半导体必须承受严苛的电网瞬态过电压冲击。赛晶1700V高压IGBT芯片拥有更宽阔的反偏安全工作区（RBSOA），在两倍额定电流及母线电压上限条件下仍能实现安全关断。

短路耐受时间tsc在150°C极限结温下确保大于10微秒，为驱动保护板的去饱和（desat）检测与软关断动作提供了充裕的安全时间。饱和压降具备正温度系数特性，确保多颗晶圆内部并联时电流自平衡分布，避免局部热斑失效。

碳化硅SiC MOSFET宽禁带半导体优势

碳化硅（SiC）宽禁带材料的击穿电场强度约为传统硅材料的10倍，这使得赛晶1200V SiC MOSFET芯片能够大幅减薄阻断层厚度，从而将单位芯片面积的导通电阻Rds(on)降至行业领先水平。

作为多子导电器件，SiC MOSFET关断时完全不存在少子复合引起的拖尾电流，开关损耗相较同容量硅基IGBT骤降70%–80%。该特性支持逆变器将开关频率提升至50–100kHz，成倍缩小输出滤波电感与变压器的物理尺寸与重量。

ED系列工业标准EconoDual 3功率模块

赛晶ED系列采用行业通用的EconoDual 3外形尺寸（122×62mm），内置坚固紫铜散热底板。模块为半桥电路拓扑，采用M6大电流主电极螺栓与低杂感压接/焊接控制引脚，内部绝缘选用高机械强度Al2O3或高导热氮化硅Si3N4陶瓷覆铜板（DBC）。

优化的对称内部导电布局将模块寄生杂散电感严格控制在15–18nH以内，在900A大电流高速开断工况下有效平抑浪涌过电压。内置电气隔离的NTC热敏电阻，提供精确的模块内部基板温度监测数据。

EP系列紧凑型EasyPack工业级模块

EP系列采用无厚铜底板的轻量化紧凑封装，陶瓷DBC基板直接通过导热介质与外置散热器紧密贴合，消除了大面积铜底板与陶瓷间的焊层疲劳问题，非常适合20–125kW光伏组串逆变器与伺服变频器。

提供六单元三相全桥（Sixpack）、制动斩波以及高效NPC/ANPC三电平拓扑配置。采用免焊接Press-Fit压接针脚技术，不仅简化了客户电控板装配工序，还杜绝了波峰焊对敏感元件的热应力破坏。

HEEV车规级直接水冷主驱逆变模块

HEEV系列专为纯电动乘用车与商用车主驱电驱总成量身打造，兼容400V与800V高压电驱动平台。模块底板采用一体成型的致密紫铜针翅（Pin-fin）结构，装配后直接沉浸在水冷通道内与乙二醇防冻液对流换热。

直接冷却结构彻底省去了传统导热硅脂层热阻，使得结至冷却液热阻Rth(j-f)骤降30%以上。结合先进的纳米银烧结工艺与铜线键合互连，HEEV模块轻松耐受超过10万次深度功率循环冲击，保障整车全生命周期安全行驶。

EVD与BEVD新能源汽车辅驱智能模块

EVD与BEVD系列面向新能源汽车高压电气辅驱应用，包括电动空调涡旋压缩机驱动、电动液压转向泵、动力电池热管理冷却液循环水泵及车载高低压DC/DC变换器。

模块采用环氧树脂高压模压一体气密封装，相比漏电起痕指数CTI超过600V。内部集成了高精度相电流采样分流电阻与欠压、过温互锁保护功能，极大精简了汽车电控板设计并提升了总成抗震性能。

模块热设计与散热器机械安装规范

将SwissSEM功率模块安装到散热器前，散热器接触面加工平面度在100mm范围内应优于50微米，表面粗糙度Rz应控制在10微米以内。导热硅脂应使用专用丝网印刷或滚筒均匀涂敷，厚度维持在50–100微米最佳区间。

紧固螺栓必须使用经计量校验的定扭矩螺丝刀，按照产品技术手册要求的扭矩值分两步以对角十字顺序均匀拧紧，严禁单角一次拧死，以防止内部陶瓷基板因机械应力集中而开裂损毁。

技术规格选型与订购交货流程

选型采购时请提供所需产品形态（裸芯片晶圆/晶粒或封装成品模块）、电路拓扑、额定耐压等级、持续工作电流、开关调制频率及散热冷却形式（强迫风冷或水冷）。

若是维修替换需求，请提供模块铭牌高清照片及完整型号后缀代码。所有器件均采用原厂静电屏蔽防静电包装出厂，并附带出厂检验报告与专业驱动板技术匹配建议。

器件电气参数、动态与静态损耗、安全工作区（SOA）曲线及安装工艺以原厂技术规格书为准。本页仅用于技术信息对接，不代表排他性授权经销代理。