Силовые полупроводники Yangjie Electronic / Yangzhou Yangjie Electronic Technology

Дискретные полупроводники, модули IGBT, тиристорные сборки и выпрямительные мосты Yangjie Electronic / Yangzhou Yangjie Electronic Technology: инженерный подбор по спецификации.

Силовые полевые MOSFET транзисторы Split Gate Trench

N-канальные силовые полевые транзисторы Yangjie Electronic с технологией Split Gate Trench обеспечивают ультранизкое сопротивление открытого канала и высокую плотность коммутируемого тока. Применяются в мощных импульсных преобразователях, промышленных контроллерах и сервоприводах.

Предельное рабочее напряжение сток-исток VDS от двадцати до ста пятидесяти вольт
Низкое сопротивление открытого канала RDS(on) до одной целой семи десятых мОм
Стойкость к лавинному пробою со стопроцентным заводским контролем параметров EAS
Компактные термостойкие корпуса с эффективным отводом тепла на охлаждающие платы

Карбидокремниевые диоды Шоттки серии SiC до 175 °C

Высокотемпературные диоды Шоттки на основе карбида кремния Yangjie Electronic отличаются полным отсутствием заряда обратного восстановления. Униполярная структура исключает динамические потери переключения при высоких частотах в инверторах возобновляемой энергетики.

Максимальная рабочая температура полупроводникового перехода до 175 градусов
Нулевой ток обратного восстановления при жесткой высокочастотной коммутации
Положительный температурный коэффициент прямого падения для параллельной работы
Номинальные токи от четырех до сорока ампер при рабочих напряжениях до 1200 В

Промышленные силовые тиристорные модули серии MT500U

Тяжелые тиристорные модули Yangjie серии MT500U разработаны для выпрямительных установок, регулируемых электроприводов и электролиза. Модульная конструкция с изоляцией основания выдерживает высокие ударные токи и обеспечивает надежный теплоотвод через массивный радиатор.

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии от 1200 до 1800 вольт
Повышенная перегрузочная способность по току для защиты от тяжелых сетевых бросков
Электрическая изоляция полупроводникового кристалла от медного основания модуля
Удобный винтовой монтаж на охладитель с контролем равномерного прижимного усилия

Силовые модули IGBT серии MG225 для частотных приводов

Полупроводниковые IGBT модули Yangjie Electronic серии MG225 сочетают trench-структуру ячеек и сверхтонкую полевую пластину. Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер минимизирует статические и динамические потери в частотных преобразователях и сварочных источниках.

Номинальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 вольт при рабочем токе 225 ампер
Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер с технологией тонких каналов Trench
Положительный температурный коэффициент для равномерного распределения мощности
Встроенный ультрабыстрый диод обратного тока с мягким характером восстановления

Высоковольтные карбидокремниевые транзисторы SiC MOSFET

Карбидокремниевые полевые транзисторы Yangjie Electronic третьего поколения обеспечивают сверхбыструю коммутацию при высоких напряжениях. Применение компактных корпусов TOLL снижает паразитную индуктивность выводов и тепловое сопротивление кристалл-теплоотвод в инверторах.

Блокирующее напряжение сток-исток 750 вольт при номинальном токе до 90 ампер
Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии двадцать миллиом при нагреве
Быстрый внутренний диод с минимальным зарядом и низким током восстановления
Существенное снижение требований к габаритам и массе внешнего охлаждения схемы

Однофазные и трехфазные мостовые выпрямители GBU и MD

Мостовые полупроводниковые выпрямители Yangjie Electronic серий GBU и MD предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Стеклянная пассивация кристаллов гарантирует долговременную стабильность параметров и высокую электрическую прочность изоляции корпусов.

Однофазные диодные мосты серии GBU с прямым током до десяти ампер включительно
Трехфазные модульные мосты серий MD60 и MD100 на обратное напряжение до 1800 В
Стеклянная пассивация кристаллов для защиты от поверхностных токов утечки цепи
Высокая электрическая прочность внутренней изоляции корпуса от внешних помех

Технология Split Gate Trench и тепловые режимы MOSFET Yangjie

В силовых N-канальных полевых транзисторах Yangjie Electronic (Yangzhou Yangjie Electronic Technology) реализована передовая архитектура экранированного затвора Split Gate Trench.

Разделение канавки на управляющую и экранирующую зоны существенно снижает емкость затвор-сток Crss при сохранении ультранизкого сопротивления открытого канала RDS(on).

Это надежно подавляет паразитные автоколебания при крутых фронтах переключения dV/dt и минимизирует коммутационные потери в силовых каскадах импульсных преобразователей.

Равномерный отвод тепла через массивный медный фланец корпуса исключает появление локальных зон перегрева кристалла при длительных режимах токовой перегрузки промышленного привода.

Динамические преимущества карбидокремниевых диодов SiC в инверторах

Высокотемпературные диоды Шоттки на основе карбида кремния Yangjie Electronic разработаны для преобразовательной техники с жесткими требованиями к КПД.

Униполярный перенос заряда в кристалле SiC обеспечивает практически нулевое время обратного восстановления и исключает броски обратного тока при выключении.

Температурная стабильность динамических характеристик позволяет диодам устойчиво работать при нагреве полупроводникового перехода до ста семидесяти пяти градусов.

Положительный температурный коэффициент прямого падения напряжения предотвращает тепловой пробой и обеспечивает равномерное надежное деление токов при параллельном соединении приборов в мощных солнечных инверторах и промышленных преобразователях.

Монтаж и защита промышленных тиристорных модулей серии MT500U

Промышленные тиристорные модули Yangjie серии MT500U на повторяющееся напряжение до 1800 В предназначены для силовых выпрямителей, электролиза и устройств плавного пуска.

Конструкция модуля базируется на электрически изолированном медном основании, обеспечивающем надежный диэлектрический барьер и минимальное переходное тепловое сопротивление кристалл-радиатор.

При монтаже на охладитель критически важно соблюдать чистоту сопрягаемых плоскостей, равномерно наносить теплопроводящую пасту и затягивать винты тарированным динамометрическим ключом по диагональной схеме.

Высокая стойкость к ударному току HighSurgeCapability надежно защищает кремниевую структуру от разрушения при кратковременных аварийных перегрузках в цеховых электросетях.

Архитектура ячеек IGBT модулей серии MG225 и управление затвором

Силовые модули IGBT серии MG225 от Yangjie Electronic сочетают субмикронную плотность ячеек Trench и современную технологию тонких пластин с полевым стопором. Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) кардинально сокращает статические потери мощности в проводящем состоянии.

Для предотвращения паразитного отпирания транзистора при высоких скоростях нарастания межэлектродного напряжения рекомендуется использовать драйверы с отрицательным напряжением запирания затвора.

Встроенный быстродействующий антипараллельный диод с мягкой характеристикой обратного восстановления минимизирует перенапряжения на индуктивности рассеяния шинопроводов и демпфирует броски токов в частотных инверторах.

Особенности высоковольтных SiC MOSFET в низкоиндуктивных корпусах TOLL

Третье поколение карбидокремниевых транзисторов SiC MOSFET от Yangjie Electronic на напряжение 750 В ориентировано на высокочастотные преобразователи нового поколения.

Использование бессвинцовых корпусов поверхностного монтажа TOLL существенно снижает паразитную индуктивность истокового вывода, устраняя нежелательные колебательные процессы в цепи управления затвором.

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала двадцать миллиом и малым потерям переключения данные приборы позволяют разработчикам значительно уменьшить габаритные размеры дросселей, трансформаторов и охлаждающих радиаторов в промышленных блоках питания, инверторах возобновляемой энергетики и модулях скоростной зарядки.

Специфика выпрямления в трехфазных модульных мостах серии MD

Для построения входных выпрямителей в преобразователях частоты и источниках питания Yangjie Electronic производит линейку мостов серий GBU и MD.

Стеклянная пассивация p-n переходов создает надежный барьер против проникновения атмосферной влаги и ионных загрязнений, обеспечивая высокую стабильность обратных токов утечки при предельных напряжениях до 1800 В.

Модульное исполнение трехфазных мостов MD60 и MD100 с изолированной металлической подложкой упрощает механическую компоновку силового шкафа.

При проектировании схемы требуется предусматривать варисторную защиту от сетевых импульсных перенапряжений и демпфирующие RC-цепочки для эффективного подавления высокочастотных коммутационных помех.

Yangjie Electronic / Yangzhou Yangjie Electronic Technology и названия моделей — товарные знаки их правообладателей. Они указаны только для обозначения оборудования, для которого мы подбираем запчасти. Компания SpareX не является официальным дилером, дистрибьютором или представителем Yangjie Electronic / Yangzhou Yangjie Electronic Technology и не связана с правообладателем. Происхождение, документы и гарантия указываются по каждой позиции в коммерческом предложении.