Wolfspeed / Cree (科锐 / 狼速) 碳化硅功率半导体元器件

Wolfspeed 科锐 / 狼速制造的高性能碳化硅功率 MOSFET、分立肖特基二极管及大功率模块，为全球新能源汽车、光伏储能与工业电机驱动提供高能效电能转换支持。

C3M 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管

Wolfspeed（科锐）C3M 系列碳化硅功率 MOSFET 涵盖 650 V 至 1700 V 额定耐压等级，具备极低导通内阻与优异耐热特性。半导体芯片显著削减高频逆变转换损耗，为工业电力电子系统提供可靠电能变换支持。

提供 TO-247-3、四引脚 TO-247-4 以及表贴 TO-263-7 多种封装外形
集成开尔文独立源极引脚配置，有效消除引线杂散寄生电感对驱动回路的干扰
支持高达 175 °C 的芯片结温持续运行工况，大幅简化高功率密度冷却散热结构
依据功率拓扑原理图与铭牌技术参数，精准完成半导体元器件选型与参数匹配

碳化硅分立肖特基二极管系列

Wolfspeed（科锐）C3D、C4D 与 C6D 系列碳化硅分立肖特基二极管覆盖 600 V、650 V、1200 V 及 1700 V 耐压规格。具备零反向恢复电荷特性，彻底消除关断反向恢复尖峰，显著提升大功率高频开关回路整流效率。

温度无关的瞬态关断切换响应特性，不存在双极型少数载流子存储与复合延迟
提供 TO-220-2、TO-247-2、DPAK 等多种工业标准分立引线封装结构
正温度系数正向导通压降特性，支持多颗器件直接并联均流稳定运行
结合整流桥拓扑参数与设备铭牌指标，提供严谨的元器件选型与工程技术支持

XM3 与 BM 碳化硅功率模块

Wolfspeed（科锐）半桥结构 XM3、BM 与 HM 碳化硅功率模块专为大功率电机驱动逆变与交通牵引系统开发。模块具备低于 5 nH 的极低寄生杂散电感，在实现极高电流密度输出的同时显著压制关断电压尖峰。

超低内部母排回路寄生电感设计，大幅削减开关换向过程中的过冲震荡应力
内置高精度 NTC 温度监测热敏电阻芯片，实现毫秒级结温与底板过热巡检反馈
支持直贴高性能微通道水冷散热底板，实现紧凑空间内的高效热量导出能力
依据整机逆变系统电气铭牌代号，准确开展功率模块总成与层叠母排选型比对

裸芯片碳化硅半导体晶圆颗粒 (Bare Die)

Wolfspeed（科锐）分立式碳化硅功率 MOSFET 与肖特基二极管裸芯片专为混合集成功率微系统及定制模块封装开发。晶圆经过严格的探针台电性测试与缺陷筛选，在紧凑基板上实现优异的导热散热与极端集成度。

正面高质量铝金属化层电极结构，适配高速超声波铝丝引线键合工艺要求
背面 Ti-Ni-Ag 复合金属接触层，全面兼容常规共晶回流焊接与低温纳米银烧结
芯片工作结温承受能力达 175 °C，适应高可靠性航空航天与严苛工业应用
结合混合微电子基板布线图纸与工艺规范，精确提供裸芯片型号选型技术咨询

专用碳化硅栅极驱动控制板卡

Wolfspeed（科锐）专用栅极驱动评估控制板专为微处理器与碳化硅功率器件的高速接口匹配而设计。板卡提供稳定的负向关断偏置电压，彻底杜绝高电压变化率 dV/dt 瞬变环境下的误导通故障风险。

集成增强型电气隔离拓扑，具备出色的高共模瞬态抗扰度 CMTI 抑制性能
板载硬件级去饱和退饱和 (Desat) 短路故障检测与有源软关断保护逻辑回路
双通道紧凑架构设计，支持直接插接装配于 XM3 半桥功率模块外部端子排
依据驱动拓扑原理与功率开关参数，精准完成驱动控制板卡选型与电阻配置

SpeedVal Kit 模块化评估测试套件

Wolfspeed（科锐）SpeedVal Kit 模块化评估平台与测试套件能够大幅加快碳化硅功率开关与二极管的实验验证周期。平台灵活支持半桥逆变回路、升压斩波拓扑以及开关瞬态动态损耗的精确波形捕获分析。

采用可插拔子板扩展设计，便于在同一套主板上对多种封装芯片进行对比测试
预置高频同轴分流器测点与差分探头接口，保证高速开关波形测量的真实度
配备完善的热仿真配合接口，实时评估功率半导体芯片瞬态热阻与结温变化
结合实验室研发测试需求与功率规格，提供评估套件架构方案选型与技术支持

4H 碳化硅第三代宽禁带半导体材料物理特性优势

Wolfspeed（科锐）制造的 4H-SiC 宽禁带碳化硅半导体材料具备高达 3.26 eV 的禁带宽度，接近传统硅基材料的三倍。其击穿临界电场强度达 3 MV/cm，使高压 MOSFET 开关器件与肖特基整流二极管能够以极薄漂移区实现超低导通比电阻。4.9 W/(cm·K) 的优异热导率促进结温热量迅速导出至封装散热界面。半导体芯片能够在高达 175 °C 的极高结温工况下稳定运转，大幅减小工业电源系统散热器与磁性元件体积质量。

MOSFET 开尔文独立源极引脚与栅极回路高频驱动优化

Wolfspeed（科锐）C3M 系列碳化硅功率 MOSFET 在高频开通关断瞬态下产生极高的电流变化率 dI/dt。传统三引脚 TO-247-3 封装中的公共源极寄生电感会产生反向感应电动势，造成栅极开通波形拖尾并增加动态开关损耗。采用配备开尔文独立源极引脚的 TO-247-4 及表贴 TO-263-7 封装，彻底将主功率输出回路与高敏栅极驱动回路进行物理隔离。该设计完全消除了寄生电感对驱动回路的负反馈影响，保障谐振逆变系统的高频纯净切换。

碳化硅肖特基二极管零反向恢复瞬态特性与损耗控制

Wolfspeed（科锐）C3D、C4D 与 C6D 系列 600 V 至 1700 V 碳化硅肖特基二极管完全依靠多数载流子导电，与传统双极型二极管具有本质物理差异。肖特基势垒交界面不存在少数载流子积聚复合延迟，使反向恢复电荷 Qrr 趋近于零。器件的关断过程仅表现为势垒结电容的充放电响应，完全不受运行工作结温与正向导通电流大小影响。消除反向恢复尖峰电流不仅降低了桥臂对管的附加发热应力，还显著抑制了高频开关电磁辐射干扰。

XM3 平台碳化硅功率模块低寄生电感与水冷结构设计

Wolfspeed（科锐）半桥结构 XM3 碳化硅功率模块面向数百千瓦大功率交通牵引变流与集中式光伏并网逆变开发。模块采用重叠层叠母排平面布局，将整机内部寄生杂散回路电感压缩至 5 nH 以下。功率 MOSFET 芯片产生的热量通过氮化硅 Si3N4 高强度陶瓷覆铜基板，直贴传导至集成微针翅结构的铜质水冷底板。紧凑坚固的封装架构消除了反复周期性温度剧烈交变带来的机械应力形变，延长变流装置长期服役寿命。

专用栅极驱动控制板电气隔离与去饱和短路故障保护

控制 Wolfspeed（科锐）碳化硅功率半导体开关需要极陡的控制脉冲前沿与强抗扰能力。为杜绝超高 dV/dt 电压瞬变通过密勒电容引发桥臂误开通，专用驱动板卡输出负 4 伏稳定负偏置关断电平。内置增强型电气隔离拓扑实现超过 100 kV/微秒的高共模瞬态抗扰度 CMTI。板载退饱和检测电路毫秒级实时监测开通状态下的导通压降异常，在系统发生过载或输出短路时触发有源软关断保护，确保功率半导体芯片免遭击穿损毁。

功率半导体元器件选型计算与热仿真工况适配技术

在现有电力电子装置升级改造或替代停产半导体型号时，工程人员需细致核算静态导通损耗与瞬态开关损耗。选用 Wolfspeed（科锐）碳化硅 MOSFET 替代传统硅基 IGBT，需对应优化栅极电阻阻值、吸收缓冲拓扑与散热方案。开关损耗的大幅降低允许系统工作频率提升 3 至 5 倍，显著减小滤波电感器与平波电容器容积。SpareX 工程师严谨校验半导体元器件的伏安输出特性、脉冲过载极限与瞬态热阻，确保与目标整机工况完全契合。

Wolfspeed / Cree及型号名称为其各自权利人的商标，仅用于说明我们为之寻找配件的设备。SpareX 不是Wolfspeed / Cree的官方经销商、分销商或代表，与商标权利人无关联。每项产品的来源、文件和质保在报价单中逐项说明。